Samsung ha iniziato la produzione di memorie RAM DDR5 a 12nm

Secondo il gigante tecnologico coreano, questa generazione di chip DDR5 non è destinata a migliorare la densità di bit o la velocità. È stato invece sottolineato che il consumo energetico può essere ridotto fino al 23% rispetto alla generazione precedente.

Samsung è riuscita a migliorare la produzione di wafer del 20% grazie ai progressi nella precisione del patterning EUV. Tuttavia, l’azienda ritiene che ci sia ancora spazio per l’utilizzo di metalli a resistenza ancora più bassa per superare i limiti delle dimensioni delle celle. In teoria, l’azienda dovrebbe essere in grado di aumentare la resistenza delle linee di parole e di bit di un ulteriore 40% e 25%, rispettivamente, utilizzando questi nuovi materiali. Ulteriori miglioramenti alla tecnologia FinFET potrebbero aumentare la velocità di un ulteriore 30% e ridurre il consumo di energia fino al 20%.

Nel corso di quest’anno, la nuova tecnologia di memoria DDR5 a 12 nm farà il suo debutto nei settori dei data center e delle workstation. Tuttavia, non ci vorrà molto prima che faccia la sua comparazione nel mercato consumer. È importante notare che AMD e Samsung hanno collaborato a stretto contatto per la realizzazione di una DRAM DDR5 da 16 GB, pensata per i sistemi Ryzen.

I prezzi delle DRAM potrebbero diminuire ancora per qualche mese a causa della flessione, soprattutto a causa delle eccessive scorte degli OEM. Sebbene questa sia un’ottima notizia per i clienti, è logico che aziende come Samsung, SK Hynix e Micron vorrebbero vedere questa tendenza invertirsi il prima possibile. Ciò significa che Samsung dovrà produrre meno prodotti DDR4 con margini ridotti per incoraggiare i propri clienti a scegliere una tecnologia DRAM più recente.