Memorie DDR6: in arrivo nel 2027
Mercoledì scorso
Lo sviluppo della nuova generazione di memoriae è ufficialmente entrato nella fase di validazione, con i primi moduli previsti per il 2027.
Samsung, Micron e SK Hynix stanno collaborando con Intel, AMD e NVIDIA per raggiungere una velocità iniziale di 8.800 MT/s, con l’obiettivo a lungo termine di arrivare a 17.600 MT/s. Questo salto prestazionale è reso possibile dalla nuova architettura a 4×24 bit, che supera il limite dell’attuale DDR5 a 2×32 bit ma richiede soluzioni inedite per la gestione del segnale.
Per superare le limitazioni fisiche degli attuali moduli DIMM, l’industria punta sullo standard CAMM2, con un’adozione iniziale nei server e successivamente nei notebook di fascia alta. La validazione delle piattaforme è attesa nel 2026, seguita dal debutto nei data center nel 2027 e da una diffusione graduale nel mercato consumer.
Le prestazioni avanzate e i costi iniziali elevati limiteranno l’adozione alle applicazioni HPC e AI, ma proprio la domanda di banda in questi settori potrebbe accelerare il passaggio alla nuova generazione.
Fonte: TechPowerUp