Samsung: in arrivo nuove memorie 3D NAND a 290 layer

Questa tecnologia all’avanguardia è prevista presentare 290 strati, rappresentando un notevole passo avanti rispetto ai precedenti 236 strati della V-NAND di ottava generazione, introdotta nel 2022.

Questa elevata densità è stata resa possibile grazie a miglioramenti nelle tecniche di stratificazione della memoria flash, ottenuti attraverso l’incremento dei livelli di memoria e una maggiore presenza di buchi di memoria all’interno del flash. Pur comportando un costo in termini di densità di dati per wafer, i benefici derivanti dall’aumento dei conteggi dei livelli risultano significativi.

In aggiunta, la stessa fonte che ha riportato i dettagli sulla nona generazione di V-NAND anticipa che Samsung punti al lancio del successore, la V-NAND di decima generazione, all’inizio del 2025. Questa nuova iterazione dovrebbe vantare un’impressionante quantità di 430 strati, rappresentando un notevole balzo di 140 strati rispetto alla nona generazione (la quale, a sua volta, ha segnato un incremento di 54 strati rispetto alla precedente).

Questo impegno da parte di Samsung è in linea con gli sforzi dei suoi rivali, tra cui Kioxia, SK Hynix, Micron Technology e YMTC, i quali hanno posto l’ambizioso obiettivo di raggiungere una memoria flash 3D NAND con 1000 strati entro il 2030.

Fonte: TechPowerUp, WccfTech