Samsung: iniziata la produzione di memorie V-NAND 9th Gen
23 aprile 2024
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Questa memoria presenta una densità di bit incrementata del 50% rispetto alla generazione precedente, grazie a dimensioni più ridotte delle celle e uno stampo più sottile.
Innovazioni come la mitigazione delle interferenze tra le celle e l’estensione della loro durata migliorano la qualità e l’affidabilità del prodotto, mentre l’eliminazione dei fori per i canali di riempimento riduce l’area planare delle celle di memoria.
La tecnologia di “channel hole etching” di Samsung dimostra le sue capacità di processo avanzate, consentendo la creazione di percorsi per gli elettroni impilando strati di stampo. Ciò massimizza l’efficienza produttiva e permette la perforazione simultanea del più alto numero di celle nel settore in una struttura a doppio stack.
La memoria V-NAND di nona generazione supporta l’interfaccia NAND flash “Toggle 5.1”, che offre un aumento del 33% della velocità di input/output dati, raggiungendo fino a 3,2 Gbps. Samsung intende potenziare ulteriormente la sua presenza nel mercato degli SSD ad alte prestazioni con il supporto per PCIe 5.0.
Grazie alla progettazione a basso consumo energetico, il V-NAND di nona generazione consuma il 10% in meno rispetto alla generazione precedente.
Samsung ha iniziato la produzione su vasta scala del modello da 1Tb TLC, prevedendo il lancio del modello QLC nel secondo semestre dell’anno.